BSZ900N15NS3GATMA1
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Infineon Technologies BSZ900N15NS3GATMA1
| Artikelnummer: | BSZ900N15NS3GATMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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Infineon Technologies BSZ900N15NS3GATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BSZ900N15NS3GATMA1.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 20µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TSDSON-8 Serie OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 10A, 10V Verlustleistung (max) 38W (Tc) Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Tc) Grundproduktnummer BSZ900 BSZ900N15NS3GATMA1 Einzelheiten PDF [English] BSZ900N15NS3GATMA1 PDF - EN.pdf -
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